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3D闪存也救不了闪存价格,东芝一技术能让固态硬

发布时间:2017-12-28

  3D闪存无法节省闪存的价格,东芝这一让SSD真正便宜的技术

  1999年在东芝180nm创造了256MB的闪存容量,在2015年15nm闪存单片容量增加了64倍,达到了16GB。闪存容量已经落后于摩尔定律晶体管每18-24个月翻一番的理论。在2014年的Flash峰会上,美光表示3D闪存可以将闪存带回摩尔定律,但现在的基本失败曝光:不仅闪存不是3D应用的实质价格,它掀起了一波涨价潮。实际上,遇到的问题不仅仅是NAND闪存在DRAM内存方面也遇到了同样的技术瓶颈,主要的OEM更新进度普遍低于预期,各种延迟已经司空见惯。 Intel一直停留在14nm节点3代的过程中,一直处于修补状态,延迟无法获得10nm芯片。在平板闪存方面,东芝已经开发出15nm工艺,SK Hynix是14nm,基本和现代CPU工艺平平。更先进的工艺(10nm〜3nm)需要EUV EUV光刻支持,EUV技术在实验室条件下需要很多年才能达到大规模生产的应用水平。虽然使用EUV光刻技术的新型器件成本高昂,但其工作能量比目前的氩激光器高10倍以上。由于EUV光刻能量转换效率仅为约0.02%,所以250瓦EUV光刻机的输出每天消耗30000kWh。对于EUV光刻,台积电表示希望未来使用的工艺技术越少越好,因为太贵了!由于升级空间小的过程,那么2D到3D的转换效率呢? 2D Flash时代通过工艺升级可以近似指数级的增长,而3D时代则只会呈线性增长,因为原则上3D是垂直叠加完成的,而不是2D闪存工艺在升级时的长宽尺寸相同时间。 3D闪存确实是未来的发展方向,但它不是万能的。然而,3D制程仍然可以在成本上有所提升,特别是对于64层或更多层的3D堆叠闪存:东芝在2007年发布了3D闪存,直到今年的大规模使用。这是64-除了将原来的Fab 2和Fab 5升级到3D工艺之外,东芝还计划新建一个Fab 6:新工厂从一开始就将3D闪存制造作为目标,除了3D堆叠之外,QLC也是未来降价的方式将是闪存:东芝公司的64层BiCS Gen 3闪存很快宣布推出96层BiCS 4闪存和3D QLC技术,相比于3D堆栈,事实上,QLC的成本更高可靠的,当然前提是要有完美的技术来解决预期寿命的问题:作为闪存的发明者,东芝宣布QLC也非常有信心,随着每QLC的更高堆栈级别和1位存储容量存储un东芝能够将目前的512Gb闪存单芯片容量增加到768Gb。东芝还承诺,3D QLC将提供1000多个擦除周期,几乎与当今基于TLC的闪存相同,不会让所有人等待太久:大约在明年的某个晚上有一段时间会出现。有可能会有玩家会联想到由英特尔和美光联合开发的3D XPoint,但它主要针对高性能领域,不差钱,对于企业级应用可能会用到它,而消费类SSD的容量之王英特尔16G质子内存(缓存磁盘)故障我们都看到3D XPoint不会有任何降价帮助。

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2017-12-28

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